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mos醫(yī)學(xué)代表什么意思（醫(yī)學(xué)mosd是什么）

發(fā)布時間：2023-03-13 11:13:59 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 93 問大家

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本文目錄:

1、mos管符號
2、場效應(yīng)和MOS管有什么區(qū)別呢？
3、MOS管的各項參數(shù)表示什么意思？
4、mos管的作用

mos醫(yī)學(xué)代表什么意思（醫(yī)學(xué)mosd是什么）

一、mos管符號

mos管符號為mos管電路符號，MOS管的電路符號會有多種變化，電路中最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）

MOS管是可以控制電壓的元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

二、場效應(yīng)和MOS管有什么區(qū)別呢？

一、主體不同

1、場效應(yīng)：V型槽MOS

三、規(guī)則不同

1、場效應(yīng)：將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。

2、MOS管：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

參考資料來源：百度百科-場效應(yīng)管

參考資料來源：百度百科-MOSFET

三、MOS管的各項參數(shù)表示什么意思？

在MOS管的參數(shù)中有許多的英文符號單位，剛接觸的人可能一下區(qū)分不出這些符號代表什么意思，這里具體解釋一下各參數(shù)的含義。

Vds

也就是電壓，這是MOS管極限參數(shù)表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該參數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，通常結(jié)溫越高，該值最大。

Rds(on)

漏源導(dǎo)電阻，表示MOS管在一定條件下導(dǎo)通時，泄漏極之間的導(dǎo)通電阻。這個參數(shù)和MOS管結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據(jù)工作電流的形式，連續(xù)泄漏電流和一定脈寬的脈沖泄漏電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是MOS管一個極限參數(shù)，但這個最大電流值并不意味著泄漏電流可以在運行過程中達到這個值。這意味著當殼體溫度在一定值時，如果MOS管如果工作電流為上述最大泄漏電流，結(jié)溫將達到最大值。因此，該參數(shù)還與設(shè)備包裝和環(huán)境溫度有關(guān)。

Vgs

這也是柵源最大的驅(qū)動電壓MOS管極限參數(shù)表示MOS管一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間內(nèi)，也會對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說，只要驅(qū)動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由于寄生參數(shù)的存在，它將是正確的Vgs需要特別注意電壓的不可預(yù)測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會隨著溫度的升高而降低，反映抗沖擊性，這也與脈沖時間有關(guān)

最大耗散功率

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導(dǎo)，是指泄漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比，是柵源電壓控制泄漏電流的能力。

在驅(qū)動信號的作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說，MOS管驅(qū)動電路從截止狀態(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電荷是評估MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

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