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封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

發(fā)布時(shí)間：2023-04-08 01:39:45 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 84

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本文目錄:

1、sop封裝框架有鍍鎳鈀金的嗎
2、CPU封裝形式的各類封裝詳細(xì)解釋
3、中國芯傳來3大好消息，研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決，這一次能取得突破嗎？
4、封裝形式的具體介紹

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

一、sop封裝框架有鍍鎳鈀金的嗎

有。

域形成有鍍鎳鈀金層，所述引線框架單元的側(cè)壁及框架本體上的非功能區(qū)無電鍍層。

電鍍鎳金與化學(xué)鎳鈀金優(yōu)缺點(diǎn)比較而化學(xué)鎳鈀金制程則不須連接導(dǎo)線bar，并且具有良好之均勻性。在打線的過程中，化學(xué)鎳層為主要基地。

二、CPU封裝形式的各類封裝詳細(xì)解釋

DIP封裝（Dual In-line Package），也叫雙列直插式封裝技術(shù)，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過 100。DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進(jìn)行焊接。 DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)特別小心，以免損壞管腳。DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式）等。

DIP封裝具有以下特點(diǎn)：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。

最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封裝，通過其上的兩排引腳可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 BGA技術(shù)（Ball Grid Array Package）即球柵陣列封裝技術(shù)。該技術(shù)的出現(xiàn)便成為CPU、主板南、北橋芯片等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。但BGA封裝占用基板的面積比較大。雖然該技術(shù)的I/O引腳數(shù)增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率。而且該技術(shù)采用了可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能。另外該技術(shù)的組裝可用共面焊接，從而能大大提高封裝的可靠性；并且由該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的封裝CPU信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率可以提高很大。

BGA封裝具有以下特點(diǎn)：

1.I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于QFP封裝方式，提高了成品率

2.雖然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能

3.信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高

4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高

目前較為常見的封裝形式： mPGA，微型PGA封裝，目前只有AMD公司的Athlon 64和英特爾公司的Xeon（至強(qiáng)）系列CPU等少數(shù)產(chǎn)品所采用，而且多是些高端產(chǎn)品，是種先進(jìn)的封裝形式。

CPGA封裝

CPGA也就是常說的陶瓷封裝，全稱為Ceramic PGA。主要在Thunderbird（雷鳥）核心和“Palomino”核心的Athlon處理器上采用。 “S.E.C.C.”是“Single Edge Contact Cartridge”縮寫，是單邊接觸卡盒的縮寫。為了與主板連接，處理器被插入一個(gè)插槽。它不使用針腳，而是使用“金手指”觸點(diǎn)，處理器使用這些觸點(diǎn)來傳遞信號(hào)。S.E.C.C. 被一個(gè)金屬殼覆蓋，這個(gè)殼覆蓋了整個(gè)卡盒組件的頂端?？ê械谋趁媸且粋€(gè)熱材料鍍層，充當(dāng)了散熱器。S.E.C.C. 內(nèi)部，大多數(shù)處理器有一個(gè)被稱為基體的印刷電路板連接起處理器、二級(jí)高速緩存和總線終止電路。S.E.C.C. 封裝用于有 242 個(gè)觸點(diǎn)的英特爾奔騰II 處理器和有 330 個(gè)觸點(diǎn)的奔騰II 至強(qiáng)和奔騰 III 至強(qiáng)處理器。

S.E.C.C.2 封裝

S.E.C.C.2 封裝與 S.E.C.C. 封裝相似，除了S.E.C.C.2 使用更少的保護(hù)性包裝并且不含有導(dǎo)熱鍍層。S.E.C.C.2 封裝用于一些較晚版本的奔騰II 處理器和奔騰 III 處理器（242 觸點(diǎn)）。

S.E.P.封裝

“S.E.P.”是“Single Edge Processor”的縮寫，是單邊處理器的縮寫?！癝.E.P.”封裝類似于“S.E.C.C.”或者“S.E.C.C.2”封裝，也是采用單邊插入到 Slot插槽中，以金手指與插槽接觸，但是它沒有全包裝外殼，底板電路從處理器底部是可見的?！癝.E.P.”封裝應(yīng)用于早期的242根金手指的 Intel Celeron 處理器。

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

三、中國芯傳來3大好消息，研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決，這一次能取得突破嗎？

終于突破了！中國芯傳來3大好消息，研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決！

眾所周知，自從進(jìn)入21世紀(jì)以后，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和科技就開始快速的發(fā)展起來，在現(xiàn)代科技領(lǐng)域里，有一大發(fā)展的核心是我們不得不重視的，而它就是半導(dǎo)體芯片；作為現(xiàn)代科技發(fā)展的頂級(jí)智慧結(jié)晶，半導(dǎo)體芯片在整個(gè)科技領(lǐng)域都發(fā)揮著無可替代的作用，正是因?yàn)樾酒绱说闹匾?，所以世界各國也都十分注重半?dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展！

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

此前我國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展起步較晚，基礎(chǔ)也較晚薄弱，所以我們遲遲都沒能生產(chǎn)出高端的國產(chǎn)芯片來，而長期以來，國產(chǎn)科技企業(yè)生產(chǎn)所需的芯片也幾乎都是依賴于從國外進(jìn)口而來，這就造成國產(chǎn)科技企業(yè)的發(fā)展很容易被人“卡脖子”，像我國的華為公司被打壓就是最好的警示，所以現(xiàn)在全國上下也開始掀起了一股研發(fā)芯片的潮流！

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，截至到2019年，我國芯片自給率僅有30%；為了能更快地提高芯片國產(chǎn)化發(fā)展，我國也確定了芯片發(fā)展的5年計(jì)劃，要在2025年的時(shí)候，實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%。想要在5年的時(shí)間里讓國產(chǎn)芯片的自給率翻一番，可以說這個(gè)目標(biāo)還是相當(dāng)大的，但不管怎樣，為了能盡快提高國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的發(fā)展，我們也必須要付出相應(yīng)的努力才行！不然，華為的遭遇，將會(huì)原封不動(dòng)地降臨到其他中國科技企業(yè)身上。

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

如今在國內(nèi)市場上，華為已經(jīng)開始在布局芯片生產(chǎn)市場領(lǐng)域的發(fā)展了，而中科院也已經(jīng)宣布將進(jìn)入光刻機(jī)等卡脖子技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)；除此以外，還有不少國產(chǎn)科技企業(yè)都在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域進(jìn)行著研發(fā)，經(jīng)過不斷的努力，如今終于取得了突破，中國芯片傳來3大好消息，研發(fā)高端芯片難點(diǎn)被解決！

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

首先第一大好消息就是，中芯國際所研發(fā)的N＋1芯片制程工藝已經(jīng)成功流片，根據(jù)測試，中芯國際N＋1工藝制造的芯片，整體性能與臺(tái)積電的7nm工藝芯片相接近，這也就意味著我國離自主生產(chǎn)7nm工藝芯片更進(jìn)一步；第二大好消息則是在光刻膠領(lǐng)域，要知道想要制造高端芯片，光刻膠是必不可少的，而此前光刻膠市場幾乎都被日韓半導(dǎo)體企業(yè)所壟斷，一直以來我們也都只能從日韓光刻膠制造商那里購買，但國產(chǎn)科技企業(yè)寧波南大光電發(fā)布公告稱：它們所生產(chǎn)的高端ArF光刻膠已經(jīng)通過各項(xiàng)測試，良品率達(dá)標(biāo)；而南大光電此次通過測試的ArF光刻膠，可以用于90nm-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝，這也就意味著我們有了生產(chǎn)高端芯片的光刻膠。

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）

最后第三大好消息就是在芯片封測領(lǐng)域，我們也已經(jīng)取得了突破，國內(nèi)的歐菲光集團(tuán)表示，它們已成功研發(fā)出半導(dǎo)體封裝用高端引線框架，這一次歐菲光集團(tuán)研發(fā)的“引線框架”是一種較為先進(jìn)的封測技術(shù)，可用于高端芯片的封測！可以說現(xiàn)在國產(chǎn)科技企業(yè)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)越來越快了，而有了這3大突破，也就意味著后續(xù)我國在生產(chǎn)高端芯片時(shí)的一些難點(diǎn)被解決，這也將極大的幫助我們加快在國產(chǎn)芯片研發(fā)領(lǐng)域的發(fā)展，等到我們實(shí)現(xiàn)芯片國產(chǎn)化以后，就再也不怕卡脖子了，不知道對(duì)此你是怎么看的呢？歡迎留言！

四、封裝形式的具體介紹

70年代流行的是雙列直插封裝，簡稱DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn):

1.適合PCB的穿孔安裝;

2.比TO型封裝(圖1)易于對(duì)PCB布線;

3.操作方便。

DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式)，如圖2所示。

衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例，其芯片面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1：86,離1相差很遠(yuǎn)。不難看出，這種封裝尺寸遠(yuǎn)比芯片大，說明封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積。

Intel公司這期間的CPU如8086、80286都采用PDIP封裝。 80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝，其中有陶瓷無引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封裝結(jié)構(gòu)形式如圖3、圖4和圖5所示。

以0.5mm焊區(qū)中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點(diǎn)是:

1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線;

2.封裝外形尺寸小，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用;

3.操作方便;

4.可靠性高。

在這期間，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。 90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn)，硅單芯片集成度不斷提高，對(duì)集成電路封裝要求更加嚴(yán)格，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大。為滿足發(fā)展的需要，在原有封裝品種基礎(chǔ)上，又增添了新的品種——球柵陣列封裝，簡稱BGA(Ball Grid Array Package)。

BGA一出現(xiàn)便成為CPU、南北橋等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點(diǎn)有:

1.I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率;

2.雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，簡稱C4焊接，從而可以改善它的電熱性能:

3.厚度比QFP減少1/2以上，重量減輕3/4以上;

4.寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高;

5.組裝可用共面焊接，可靠性高;

6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣，占用基板面積過大;

Intel公司對(duì)這種集成度很高(單芯片里達(dá)300萬只以上晶體管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA，并在外殼上安裝微型排風(fēng)扇散熱，從而達(dá)到電路的穩(wěn)定可靠工作。 BGA封裝比QFP先進(jìn)，更比PGA好，但它的芯片面積/封裝面積的比值仍很低。

Tessera公司在BGA基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，研制出另一種稱為μBGA的封裝技術(shù)，按0.5mm焊區(qū)中心距，芯片面積/封裝面積的比為1:4，比BGA前進(jìn)了一大步。

1994年9月日本三菱電氣研究出一種芯片面積/封裝面積=1:1.1的封裝結(jié)構(gòu)，其封裝外形尺寸只比裸芯片大一點(diǎn)點(diǎn)。也就是說，單個(gè)IC芯片有多大，封裝尺寸就有多大，從而誕生了一種新的封裝形式，命名為芯片尺寸封裝，簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點(diǎn):

1.滿足了LSI芯片引出腳不斷增加的需要;

2.解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測試和老化篩選的問題;

3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10，延遲時(shí)間縮小到極短。

曾有人想，當(dāng)單芯片一時(shí)還達(dá)不到多種芯片的集成度時(shí)，能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和專用集成電路芯片(ASIC)在高密度多層互聯(lián)基板上用表面安裝技術(shù)(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)。由這種想法產(chǎn)生出多芯片組件MCM(Multi Chip Model)。它將對(duì)現(xiàn)代化的計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、通訊業(yè)等領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響。MCM的特點(diǎn)有:

1.封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)組件高速化;

2.縮小整機(jī)/組件封裝尺寸和重量，一般體積減小1/4，重量減輕1/3;

3.可靠性大大提高。

隨著LSI設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝的進(jìn)步及深亞微米技術(shù)和微細(xì)化縮小芯片尺寸等技術(shù)的使用，人們產(chǎn)生了將多個(gè)LSI芯片組裝在一個(gè)精密多層布線的外殼內(nèi)形成MCM產(chǎn)品的想法。進(jìn)一步又產(chǎn)生另一種想法:把多種芯片的電路集成在一個(gè)大圓片上，從而又導(dǎo)致了封裝由單個(gè)小芯片級(jí)轉(zhuǎn)向硅圓片級(jí)(wafer level)封裝的變革，由此引出系統(tǒng)級(jí)芯片SOC(System On Chip)和電腦級(jí)芯片PCOC(PC On Chip)。

隨著CPU和其他ULSI電路的進(jìn)步，集成電路的封裝形式也將有相應(yīng)的發(fā)展，而封裝形式的進(jìn)步又將反過來促成芯片技術(shù)向前發(fā)展。

封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接。衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。結(jié)構(gòu)方面： TO－>DIP－>LCC－>QFP－>BGA －>CSP；

材料方面：

金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；

引腳形狀：

長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點(diǎn)；

裝配方式：

通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝。

DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。

PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。

PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般都在100以上。

SOP--Small Outline Package--1968～1969年菲為浦公司就開發(fā)出小外形封裝（SOP）。以后逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形晶體管）、SOIC（小外形集成電路）等。

封裝引線框架（封裝引線框架干啥的）