burst諧音記憶

大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來大家介紹下關于burst諧音記憶的問題，以下是小編對此問題的歸納整理，讓我們一起來看看吧。

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本文目錄:

• 1、英語不好，記不住單詞，怎么辦？

• 2、照相機中burst模式和continuous模式的區(qū)別

• 3、顯卡內(nèi)存DDR,DDR2,DDR3,有什么區(qū)別，哪個最好

• 4、As she walked along a , a door suddenly burst...

一、英語不好，記不住單詞，怎么辦？

1、英語不好，記不住單詞。個人覺得有一下兩個方面的原因?qū)е履阌洸蛔卧~。

1、記單詞方法不對。在記單詞的時候最好是看到單詞能知道意思、發(fā)音。剛開始可以跟讀，跟著讀單詞，然后去記這個單詞的意思。還有單詞記住要經(jīng)常復習，不要記住一遍然后就不復習了。多溫習。

2、用的時間不多。每天記得單詞太多了，剛開始可以把記單詞的數(shù)量降下來。不要記多了，記多了，肯定記不住。

3、記單詞是一個長期的過程。每天都要記。時間的力量。在記住單詞的時候可以用雷哥單詞等單詞評估軟件，測試一下自己的單詞量，，然后每天記住，等一個月下來，在測試自己的詞匯量，這樣能看到自己單詞量的上漲，更有動力堅持。

二、照相機中burst模式和continuous模式的區(qū)別

高速連拍模式是數(shù)碼相機優(yōu)勢的體現(xiàn)，它能讓攝影者一張緊接著一張沒有停頓的拍攝數(shù)張照片，這種功能通常較少使用在傳統(tǒng)膠卷照相機上，只有配備特制小型馬達的膠卷單鏡反光相機才具有連拍功能。根據(jù)照相機的類型和型號不同，各種照相機的最高連拍速度（fps）和最多連拍張數(shù)是不同的。最高連拍速度（fps）由快門速度和照相機圖像處理速度決定。最多連拍張數(shù)由緩沖器的大小（上文已具體談及）和記憶卡讀寫速度決定。

隨著科技不斷發(fā)展，數(shù)碼相機的每秒最多拍攝張數(shù)（fps）和最多連拍張數(shù)不斷增加，連拍功能變得越來越強大。當然，輕巧型數(shù)碼相機的連拍能力比準專業(yè)級數(shù)碼相機弱，準專業(yè)級數(shù)碼相機又比專業(yè)數(shù)碼單反弱。通常在高速連拍模式中，輕便型數(shù)碼相機每秒最多拍攝1～3張照片，每次連拍最多拍攝10張照片，然而，專業(yè)數(shù)碼單反每秒最多拍攝7張（以上）照片，每次連拍能拍攝數(shù)十張JPEG和RAW格式的照片。一些更先進的專業(yè)級照相機甚至允許攝影者先以較慢速度繼續(xù)進行連拍，然后突然轉(zhuǎn)到高速（全速）連拍，直到記憶卡被寫滿圖片數(shù)據(jù)為止。

三、顯卡內(nèi)存DDR,DDR2,DDR3,有什么區(qū)別，哪個最好

什么是DDR1

有時候大家將老的存儲技術 DDR 稱為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區(qū)分。盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。

DDR1規(guī)格

DDR-200: DDR-SDRAM 記憶芯片在100 MHz下運行 DDR-266: DDR-SDRAM 記憶芯片在133 MHz下運行 DDR-333: DDR-SDRAM 記憶芯片在166 MHz下運行 DDR-400: DDR-SDRAM 記憶芯片在200 MHz下運行（JEDEC制定的DDR最高規(guī)格） DDR-500: DDR-SDRAM 記憶芯片在250 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-600: DDR-SDRAM 記憶芯片在300 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-700: DDR-SDRAM 記憶芯片在350 MHz下運行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）

DDR2.2G

[1][2][3]

什么是 DDR2

DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預讀?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

DDR3與DDR2的比較

DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：

1.突發(fā)長度（Burst Length，BL）

由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2.尋址時序（Timing）

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和

DDR3

CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

DDR2內(nèi)存的頻率

其中 DDR2 的頻率對照表如右圖所示。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。

在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準功能

ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

參考電壓分成兩個

在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

點對點連接（Point-to-Point，P2P）

這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。

面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。

DDR4

據(jù)介紹美國JEDEC將會在不久之后啟動DDR4內(nèi)存峰會，而這也標志著DDR4標準制定工作的展開。一般認為這樣的會議召開之后新產(chǎn)品將會在3年左右的時間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會提前到2010年。

JEDEC表示在7月份于美國召開的存儲器大會MEMCON07SanJose上時就考慮過DDR4內(nèi)存要盡可能得繼承DDR3內(nèi)存的規(guī)格。使用Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號)信號方式則表示64-bit存儲模塊技術將會得到繼承。不過據(jù)說在召開此次的DDR4峰會時，DDR4 內(nèi)存不僅僅只有Single-endedSignaling方式，大會同時也推出了基于微分信號存儲器標準的DDR4內(nèi)存。

DDR4規(guī)格

因此DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一個DRAM實現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會同時存在基于傳統(tǒng)SE信號和微分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。

根據(jù)多位半導體業(yè)界相關人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時代我們將會看到兩個互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。

DDR5

新一代的顯存會有較低的能量消耗量，且數(shù)據(jù)傳輸為每秒6 Gbps

直至目前為止，我們只看到極少數(shù)的繪圖卡使用gddr4顯存，但三星已發(fā)布下一代的gddr5記憶體，并聲稱它的樣本已經(jīng)發(fā)向了主要的圖形處理器公司。

當然，三星并不是第一家提供gddr5的樣品的公司。海力士Hynix和奇夢達雙方也宣布了類似的零件，但三星的記憶已經(jīng)進了一步提供了數(shù)據(jù)傳輸速率6gb/sec ，超過標準5gb/sec 。因此，三星大膽聲稱它的產(chǎn)品為“世界上速度最快的記憶體”并且說，它的產(chǎn)品“能夠傳輸移動影像及相關數(shù)據(jù)，在24千兆字節(jié)每秒?！?/p>

除了增加帶寬， gddr5記憶體也比較低功耗，三星公司聲稱其記憶體運作，只是1.5v 。

三星是目前采樣512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ， mueez 迪恩，三星繪圖記憶體的市場營銷主管，他說，該記憶體“將使種圖形硬體的表現(xiàn)將推動軟件開發(fā)商提供了一個新臺階眼膨化游戲。不過，我們可能要等待一段時間之前， gddr5成為普遍。三星公司估計，該記憶體將成為”在頂級產(chǎn)品細分市場中的事實上的標準“。

顯然DDR3是最好的

四、As she walked along a , a door suddenly burst...

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